产生用于MOSFET沟道迁移率调整的局部机械栅极应力的结...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供了一种能够产生用于沟道迁移率调整的局部机械栅极应力的半导体结构和方法。所述半导体结构包括半导体衬底表面上的至少一个NFET和至少一个PFET。所述至少一个NFET具有包括栅极介质、第一栅极电极层、阻挡层和压缩金属的栅极叠层结构，而所述至少一个PFET具有包括栅极介质、第一栅极电极层、阻挡层和拉伸金属或硅化物的栅极叠层。
基本信息
专利标题 ：
产生用于MOSFET沟道迁移率调整的局部机械栅极应力的结构和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790715A
申请号 ：
CN200510115838.6
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·小卡布拉尔朱慧珑B·B·多里斯T·S·卡纳尔斯基刘小虎
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN200510115838.6
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L29/78 H01L21/8232 H01L21/336 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2008-10-01 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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