用于CMOS技术的应变感应迁移率增强纳米器件及工艺
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种CMOS半导体集成电路器件。该CMOS器件包括NMOS器件，其中NMOS器件包括栅极区、源极区、漏极区以及在源极区和漏极区之间形成的NMOS沟道区。在源极区和漏极区中形成碳化硅材料。碳化硅材料使沟道区处于拉伸模式。CMOS器件还具有PMOS器件，其中PMOS器件包括栅极区、源极区和漏极区。PMOS器件具有在源极区和漏极区之间形成的PMOS沟道区。在源极区和漏极区中形成硅锗材料。硅锗材料使沟道区处于压缩模式。
基本信息
专利标题 ：
用于CMOS技术的应变感应迁移率增强纳米器件及工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941329A
申请号 ：
CN200510030311.3
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈军杨士宁
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王怡
优先权 ：
CN200510030311.3
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L21/336 H01L27/092 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2012-01-04 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101259320044
IPC(主分类) : H01L 21/8238
专利号 : ZL2005100303113
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129
号牌文件序号 : 101259320044
IPC(主分类) : H01L 21/8238
专利号 : ZL2005100303113
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129
2008-12-10 ：
授权
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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