增强型高电子迁移率晶体管及其形成方法

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摘要

本发明提供一种增强型高电子迁移率晶体管及其形成方法。该增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)包括基板、设置于上述基板上的第一III‑V族半导体层、设置于上述第一III‑V族半导体层上的第二III‑V族半导体层、设置于上述第二III‑V族半导体层上的第三III‑V族半导体层、自上述第三III‑V族半导体层延伸进入上述第二III‑V族半导体层及第一III‑V族半导体层中以作为隔离区的非晶(amorphous)区以及设置于上述非晶区中的栅极电极。上述第二III‑V族半导体层与第三III‑V族半导体层包括相异的材料以形成异质接合(heterojunction)。本发明可避免或降低栅极漏电以提高其效能。

基本信息

专利标题：

增强型高电子迁移率晶体管及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109524454A

申请号：

CN201710839084.1

公开（公告）日：

2019-03-26

申请日：

2017-09-18

授权号：

CN109524454B

授权日：

2022-04-29

发明人：

邱建维林鑫成林永豪

申请人：

世界先进积体电路股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

王涛

优先权：

CN201710839084.1

主分类号：

H01L29/10

IPC分类号：

H01L29/10 H01L29/786 H01L21/336