增强型高电子迁移率晶体管的p-GaN帽层的制备方法

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摘要

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种增强型高电子迁移率晶体管的p‑GaN帽层的制备方法。本发明提供的增强型高电子迁移率晶体管的p‑GaN帽层的制备方法，包括：提供包括依次层叠设置的沟道层和势垒层的外延片；在势垒层背离沟道层的表面依次生长注入阻挡层和AlN层，对部分注入阻挡层和AlN层进行刻蚀，使得势垒层表面的部分区域裸露，形成p‑GaN帽层区窗口；在AlN层背离注入阻挡层的表面和p‑GaN帽层区窗口外延生长p‑GaN材料层，对p‑GaN帽层区窗口以外区域的p‑GaN材料层、AlN层和注入阻挡层进行刻蚀，形成p‑GaN帽层。以解决现有p‑GaN帽层的制备工艺存在的外延均匀性差，p‑GaN帽层中的Mg离子分布不均匀的问题。

基本信息

专利标题：

增强型高电子迁移率晶体管的p-GaN帽层的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111192827A

申请号：

CN201910749810.X

公开（公告）日：

2020-05-22

申请日：

2019-08-14

授权号：

CN111192827B

授权日：

2022-06-14

发明人：

陈建国罗剑生

申请人：

深圳方正微电子有限公司

申请人地址：

广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司

代理人：

张杨梅

优先权：

CN201910749810.X

主分类号：

H01L21/335

IPC分类号：

H01L21/335 H01L29/778 H01L29/20 H01L29/207