一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构
授权
摘要
一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构，属于HEMT器件结构技术领域，该晶体管结构，包括氮化镓基功率器件，氮化镓基功率器件通过钝化层与后端工艺晶体管相连，钝化层内设置有导电柱，导电柱将氮化镓基功率器件的电极层与后端工艺晶体管的电极层相连，本实用新型的有益效果是，本实用新型在氮化镓基功率器件上单片集成后端工艺晶体管，互连寄生效应小，提升了系统的频率特性，减小了系统的体积，降低了制备成本。
基本信息
专利标题 ：
一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123140712.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
CN216597586U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
李怡均袁松赵海明钮应喜张晓洪左万胜钟敏史田超
申请人 ：
芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟迪
优先权 ：
CN202123140712.8
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L27/28 H01L23/538
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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