碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
专利权的终止
摘要
本发明一种碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一种碳化硅衬底；采用金属有机物化学气相沉积法，在衬底上生长一层高温氮化铝成核层；改变衬底温度，在高温氮化铝成核层上生长非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层；改变生长室压力，在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层上生长非有意掺杂高迁移率氮化镓层；改变衬底温度和生长室压力，在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；最后在氮化铝插入层上生长铝镓氮层。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101005034A
申请号 ：
CN200610011228.6
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王晓亮胡国新马志勇冉学军王翠敏肖红领王军喜李建平曾一平李晋闽
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200610011228.6
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L21/20 H01L29/02 H01L29/772
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-01-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20060118
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20210118
申请日 : 20060118
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20210118
2009-01-14 ：
授权
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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