高性能MIS栅增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法

高性能MIS栅增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方...

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摘要

本发明涉及高性能MIS栅增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法，该器件包括层位于衬底上的AlGaN层，AlGaN层由AlGaN势垒层和分布于其两侧的p掺杂漂移区域和n掺杂漂移区域组成，钝化层位于源极和漏极之间，凹槽自钝化层延伸至势垒层中，填充凹槽的p‑GaN区域，位于p‑GaN区域上的栅极和与栅极接触的场板。在势垒层的两侧形成不同梯度的n/p掺杂层，抑制源‑漏方向的电流拥挤，同时栅极下方连接p‑GaN，其上方与场板接触，控制栅极下方的电荷拥挤，使二维电子气沟道电子运输更加平滑，保证器件高电流密度和高电子迁移率的情况下，实现击穿电压的可调控提升，降低导通电阻，改善器件功率特性和可靠性。

基本信息

专利标题：

高性能MIS栅增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111682064A

申请号：

CN202010489644.7

公开（公告）日：

2020-09-18

申请日：

2020-06-02

授权号：

CN111682064B

授权日：

2022-06-07

发明人：

郭志友李渊夏凡谭秀洋马建铖夏晓宇张淼

申请人：

华南师范大学

申请人地址：

广东省广州市天河区中山大道西55号

代理机构：

佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

耿鹏

优先权：

CN202010489644.7

主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/778 H01L29/06 H01L29/40 H01L21/335