具有位错-应变效应的IrNi纳米颗粒
实质审查的生效
摘要
本发明提供具有位错‑应变效应的IrNi纳米颗粒，通过具有极端环境的非稳态热冲击过程合成，在合成过程中该催化剂的原子结构得到了改善，IrNi纳米粒子由于高温超快淬火而产生大量位错，使其内部产生应变效应，从而增强了该IrNi纳米粒子的电化学性能。本发明的纳米颗粒表现出具有竞争力的析氢反应性能，在10mA cm‑2的电流密度下只有17mV的过电位，并且碱性电解质中表现出优异的稳定性，该催化剂的析氢性能超过了最先进的Pt/C催化剂。
基本信息
专利标题 ：
具有位错-应变效应的IrNi纳米颗粒
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114262912A
申请号 ：
CN202011112805.7
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡文彬刘丝靓邓意达陈亚楠韩晓鹏吴忠
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
天津市南开区卫津路92号
代理机构 ：
天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王秀奎
优先权 ：
CN202011112805.7
主分类号 ：
C25B11/089
IPC分类号 ：
C25B11/089 C25B1/02 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25B
生产化合物或非金属的电解工艺或电泳工艺；其所用的设备
C25B11/089
合金
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C25B 11/089
申请日 : 20201016
申请日 : 20201016
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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