具有应变的硅沟道的场效应晶体管及其制造方法
专利权的终止
摘要
提供场效应晶体管(FET)和制造FET的方法，该FET包括半导体衬底上的结构侧壁上的沟道层，以及至少具有在从半导体衬底延伸的结构侧壁的方向上应变的部分沟道层。该晶体管可以是FinFET，半导体衬底上的结构包括鳍形结构，以及侧壁可以是鳍形结构的侧壁。沟道层可以是Si外延层和可以在包括SiGe和Si的交替层的内鳍形结构上。沟道层可以包括应变的和不应变的部分。应变的和不应变的部分可以是沟道层的侧壁。
基本信息
专利标题 ：
具有应变的硅沟道的场效应晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1770470A
申请号 ：
CN200510107518.6
公开（公告）日 ：
2006-05-10
申请日 ：
2005-09-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李成泳申东石
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200510107518.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2011-12-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101148109517
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005101075186
申请日 : 20050926
授权公告日 : 20091021
终止日期 : 20100926
号牌文件序号 : 101148109517
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005101075186
申请日 : 20050926
授权公告日 : 20091021
终止日期 : 20100926
2009-10-21 ：
授权
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2006-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
