使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件。特别地，一种由能够形成纳米沟道的介孔材料组成的存储器件，其中具有填充入纳米沟道的金属纳米颗粒或金属离子的存储层配置在上电极和下电极之间。因而，该存储器件具有高的加工性，并显示了优异的重现性和均一的性能。
基本信息
专利标题 ：
使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819204A
申请号 ：
CN200510127061.5
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周原提林珍亨李光熙李相均
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
宋莉
优先权 ：
CN200510127061.5
主分类号 ：
H01L27/10
IPC分类号 ：
H01L27/10 H01L21/82
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
法律状态
2009-11-04 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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