非易失纳米晶体存储器及其方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种纳米晶体非易失存储器(NVM)(10)具有控制栅极(26)和纳米晶体(16)之间的介质(22)，其具有足以减少介质(22)中能够俘获电子的位置的氮含量。这是通过使氮浓度逐渐变化实现的。氮浓度在纳米晶体(16)附近最高，其中电子/空穴陷阱的浓度趋向于最高，并且朝向控制栅极(26)减小，在控制栅极处电子/空穴陷阱的浓度较低。这已被发现具有减少可俘获电荷的位置数目的有利作用。
基本信息
专利标题 ：
非易失纳米晶体存储器及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101438392A
申请号 ：
CN200580040962.9
公开（公告）日 ：
2009-05-20
申请日 ：
2005-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
拉杰什·A·拉奥拉马钱德兰·穆拉利德哈布鲁斯·E·怀特
申请人 ：
飞思卡尔半导体公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
穆德骏
优先权 ：
CN200580040962.9
主分类号 ：
H01L21/331
IPC分类号 ：
H01L21/331
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33
包括3个或更多电极的器件
H01L21/331
晶体管
法律状态
2011-03-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101075701330
IPC(主分类) : H01L 21/331
专利申请号 : 2005800409629
公开日 : 20090520
号牌文件序号 : 101075701330
IPC(主分类) : H01L 21/331
专利申请号 : 2005800409629
公开日 : 20090520
2009-07-15 ：
实质审查的生效
2009-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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