本发明公开一种三维薄膜晶体管式纳米晶粒存储器元件及其制法，该存储器元件包括：形成于该基材上的一薄膜晶体管；该薄膜晶体管闸极介电层中的一纳米晶粒层；形成于薄膜晶体管上的另一薄膜晶体管；这二个薄膜晶体管是共享一字符线。本发明提供了一种降低存储器元件的制程温度的制法，在垂直方向堆栈时，各存储器元件不会因每层承受不同的热预算，使各层的存储器元件特性不同的，本发明的三维式存储器在堆栈每层存储器元件时，不需要额外处理各层存储器元件向外延伸到基板上晶体管的联机问题，也就是提供一种主动式存储元件以垂直堆栈该存储元件，再有本发明可进一步提高三维存储器的位密度并简化其制程的复杂度。