采用陶瓷超导元件的存储器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一存储器件包括一超导环路(46，48)和一电极(44)，超导环路的至少一部分由具有晶粒间界的陶瓷超导元件(46)构成，电极(44)设在元件(46)附近，使流经元件(46)外的所述环路的一部分(48)电流可由控制流经电极(44)的电流产生的磁场使其被捕获在所述环路中。
基本信息
专利标题 ：
采用陶瓷超导元件的存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1064365A
申请号 ：
CN92102162.3
公开（公告）日 ：
1992-09-09
申请日 ：
1989-06-16
授权号 ：
CN1024056C
授权日 ：
1994-03-16
发明人 ：
野岛秀雄片冈照荣桥爪信朗土本修平森末道忠
申请人 ：
夏普公司;森末道忠
申请人地址 ：
日本大阪市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN92102162.3
主分类号 ：
G11C11/44
IPC分类号 ：
G11C11/44
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/44
应用超导元件的，例如冷子管
法律状态
2004-08-18 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1994-03-16 ：
授权
1992-09-09 ：
公开
1992-08-19 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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