水平GAA纳米线及纳米平板晶体管
公开
摘要
描述水平全环绕式栅极装置及制造其的方法。所述hGAA装置包含位于该装置的源极区域与漏极区域之间的经掺杂半导体材料。所述方法包括：掺杂位于电子装置的源极区域与漏极区域之间的半导体材料层。
基本信息
专利标题 ：
水平GAA纳米线及纳米平板晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616654A
申请号 ：
CN202080071714.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
本杰明·科伦坡汉斯-乔齐姆·戈斯曼
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202080071714.5
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 B82Y10/00 H01L21/02 H01L21/324 H01L21/336 H01L29/06 H01L29/10 H01L29/40 H01L29/423 H01L29/775 H01L29/786
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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