纳米管/纳米线FET的自对准方法

专利申请权、专利权的转移

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摘要

一种半导体结构，包括：衬底，包括位于其上的至少一个栅极区域，所述至少一个栅极区域包括至少一个一维纳米结构的层；以及金属碳化物接触，位于所述衬底的表面上，对准所述至少一个一维纳米结构的层的边缘。

基本信息

专利标题：

纳米管/纳米线FET的自对准方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101099248A

申请号：

CN200580045925.7

公开（公告）日：

2008-01-02

申请日：

2005-12-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

P·阿武雷斯R·卡鲁瑟斯陈佳C·德塔韦尼耶C·拉沃耶H－S·P·翁

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200580045925.7

主分类号：

H01L51/00

IPC分类号：

H01L51/00

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法律状态

2017-11-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 51/00
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2017-11-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 51/00
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2010-09-08 ：

授权

2008-02-27 ：

实质审查的生效

2008-01-02 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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