基于高反膜自对准超导纳米线单光子探测器的制备方法
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摘要
本发明提供一种基于高反膜自对准超导纳米线单光子探测器的制备方法，采用深硅刻蚀工艺图形化衬底，以在衬底中形成凹槽，其中，凹槽具有自对准器件的形貌，凹槽的位置与超导纳米线对应设置，且凹槽的底部显露高反膜；采用剥离工艺剥离高反膜，以实现制备基于高反膜自对准超导纳米线单光子探测器。
基本信息
专利标题 ：
基于高反膜自对准超导纳米线单光子探测器的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112781735A
申请号 ：
CN201911088597.9
公开（公告）日 ：
2021-05-11
申请日 ：
2019-11-08
授权号 ：
CN112781735B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
李浩周后荣尤立星王镇
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN201911088597.9
主分类号 ：
G01J11/00
IPC分类号 ：
G01J11/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J11/00
测量单个光脉冲或光脉冲序列的特性
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-05-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01J 11/00
申请日 : 20191108
申请日 : 20191108
2021-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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