背面光耦合超导纳米线单光子探测器件及测试装置
授权
摘要
本实用新型提供一种背面光耦合超导纳米线单光子探测器件及测试装置，背面光耦合超导纳米线单光子探测器件包括器件光敏区域及定位环。测试装置包括封装件及套管，背面光耦合超导纳米线单光子探测器件固定于封装件中，并通过套管与封装件及光纤插头的连接，使得光纤插头的中心与背面光耦合超导纳米线单光子探测器件的中心位于同一垂线上。本实用新型制备具有特殊形貌的背面光耦合超导纳米线单光子探测器件并与测试装置配合应用，实现高稳定性的自对准光耦合；且利用μm级的标记刻度尺，结合光学显微镜可以直接量化对光误差，使得对光误差控制在μm量级。
基本信息
专利标题 ：
背面光耦合超导纳米线单光子探测器件及测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921922748.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-08
授权号 ：
CN210719422U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
李浩周后荣尤立星王镇
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海泰能知识产权代理事务所
代理人 ：
宋缨
优先权 ：
CN201921922748.1
主分类号 ：
G01J11/00
IPC分类号 ：
G01J11/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J11/00
测量单个光脉冲或光脉冲序列的特性
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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