一种基于碳纳米管通道的纳流控芯片加工方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种基于碳纳米管通道的纳流控芯片加工方法。包括:在除水的基底上旋涂一薄层光刻胶并加热使其固化;将碳纳米管薄层通过热释法转移至光刻胶薄层表面的预定位置;在光刻胶薄层表面旋涂另一层光刻胶将碳纳米管嵌入其中;加热使光刻胶溶剂挥发,之后进行光刻操作,在基底上加工开式微米通道系统,光刻操作后碳纳米管部分暴露在微流通道中;将通道中倒入液态PDMS将暴露在通道中的碳纳米管嵌入PDMS,将PDMS固化并剥离,获得带有碳纳米管通道的纳流控芯片基底;对PDMS表面进行等离子氧化处理,将其和S5中所述碳纳米管通道的纳流控芯片基底进行等离子表面氧化处理,最终进行芯片键合,获得基于碳纳米管构建的纳流控芯片。本发明完整性好、制作效率高。
基本信息
专利标题 :
一种基于碳纳米管通道的纳流控芯片加工方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114433261A
申请号 :
CN202210089961.9
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-01-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
彭冉李橦王贺嘉宋永欣徐敏义潘新祥李冬青
申请人 :
大连海事大学
申请人地址 :
辽宁省大连市高新园区凌海路1号
代理机构 :
大连东方专利代理有限责任公司
代理人 :
修睿
优先权 :
CN202210089961.9
主分类号 :
B01L3/00
IPC分类号 :
B01L3/00
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01L
通用化学或物理实验室设备
B01L3/00
实验室用的容器或器皿,如实验室玻璃仪器;点滴器
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B01L 3/00
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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