制造非对称竖直纳米线MOSFET的方法和非对称竖直纳米线...
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摘要
提供了一种用于在包括至少一条竖直纳米线(125)的半导体衬底(110)上制造非对称竖直纳米线MOSFET(100)的方法，该至少一条竖直纳米线包括核心部分(120)和外壳部分(130)，该外壳部分包围核心部分(120)。该方法包括：在半导体衬底(110)上沉积保护层(140)；在竖直纳米线(125)的未被保护层(140)遮盖的剩余部分(120t)周围形成顶部接触件(150)；去除保护层(140)；在半导体衬底(110)上沉积间隔层(160)；去除竖直纳米线(125)的底部分(125b)的中间部分(125i)的外壳部分；修整竖直纳米线(125)的底部分(125b)的上部部分(125u)的外壳部分；在间隔层(160)上沉积金属栅极(170)，并且形成下源极漏极部分和上源极漏极部分。
基本信息
专利标题 ：
制造非对称竖直纳米线MOSFET的方法和非对称竖直纳米线MOSFET
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114430862A
申请号 ：
CN202080064240.1
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
拉尔斯-埃里克·维纳森奥利-佩卡·基尔皮
申请人 ：
C2安培有限公司
申请人地址 ：
瑞典利姆港
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
赵金强
优先权 ：
CN202080064240.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/205 H01L29/775 H01L21/335 H01L29/40 H01L29/417 H01L29/08
法律状态
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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