硅纳米线、包括其的半导体器件和制造硅纳米线的方法

专利权的视为放弃

摘要

本发明提供了一种硅纳米线、一种包括硅纳米线的半导体器件以及制造该硅纳米线的方法。该方法包括：形成具有多个微腔的微型槽，该微型槽在硅衬底的表面上形成规则的图案；在硅衬底中形成掺杂第一掺杂剂的第一掺杂层，并在第一掺杂层与硅衬底的表面之间形成掺杂第二掺杂剂的第二掺杂层；通过在硅衬底上淀积起到催化剂作用以形成纳米线的材料在硅衬底上形成金属层；通过加热该金属层形成催化剂，从而使在硅衬底的表面上的微型槽内的金属层凝聚；以及利用热工艺在催化剂与硅衬底之间生长纳米线。

基本信息

专利标题：

硅纳米线、包括其的半导体器件和制造硅纳米线的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1841659A

申请号：

CN200610054949.5

公开（公告）日：

2006-10-04

申请日：

2006-02-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

崔秉龙朴玩濬李银京玄在雄

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200610054949.5

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02 H01L29/02 H01L33/00 H01L51/00