硅和硅锗纳米线结构

授权

摘要

本申请公开了硅和硅锗纳米线结构。描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括形成纳米线器件，该纳米线器件包括：衬底，衬底包括位于间隔物附近的源极/漏极结构；以及位于间隔物之间的纳米线沟道结构，其中纳米线沟道结构在彼此之上垂直地层叠。

基本信息

专利标题：

硅和硅锗纳米线结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109607475A

申请号：

CN201811307141.2

公开（公告）日：

2019-04-12

申请日：

2011-11-23

授权号：

CN109607475B

授权日：

2022-04-15

发明人：

K·J·库恩S·金R·里奥斯S·M·赛亚M·D·贾尔斯A·卡佩尔拉尼T·拉克什特P·常W·瑞驰梅迪

申请人：

英特尔公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

何焜

优先权：

CN201811307141.2

主分类号：

B82Y10/00

IPC分类号：

B82Y10/00 H01L21/762 H01L29/06 H01L29/16 H01L29/417 H01L29/423 H01L21/336 H01L29/775 H01L29/78 H01L29/786