基板处理方法、基板处理装置和纳米线或纳米片的晶体管的制造...
公开
摘要
本发明的课题在于，交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理中，适当地缩短处理工序。本发明为一种基板处理方法，其为交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理方法，所述基板处理方法使用经等离子体化的包含氟和氧的处理气体，将前述硅锗层的露出面的表层选择性地改性，形成氧化膜。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法、基板处理装置和纳米线或纳米片的晶体管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616650A
申请号 ：
CN202080072884.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小山贤一山内祥平土桥和也清水昭贵
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202080072884.5
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/67 H01L29/06 H01L21/336 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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