垂直纳米线晶体管及其形成方法

授权

摘要

本申请公开了一种垂直纳米线晶体管的形成方法，包括：在衬底上沿垂直方向依次堆叠形成至少一个器件层，在形成每个器件层时，先形成具有通孔的第一隔离层，然后在通孔中形成第一源漏区，在第一源漏区上形成沟道区，以及在沟道区上形成第二源漏区，其中，环绕沟道区形成栅堆叠，环绕第二源漏区形成第二隔离层，如此，通过先隔离再形成沟道的方式，使得通过该方法形成的垂直纳米线晶体管具有优秀的器件隔离能力，降低了垂直纳米线晶体管的寄生效应和漏电程度，提高了垂直纳米线晶体管性能，并且，该方法能在垂直方向大规模集成，有利于减小版图面积，提高垂直纳米线晶体管的集成度。本申请还公开了对应的垂直纳米线晶体管。

基本信息

专利标题：

垂直纳米线晶体管及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109841675A

申请号：

CN201910271828.3

公开（公告）日：

2019-06-04

申请日：

2019-04-04

授权号：

CN109841675B

授权日：

2022-05-17

发明人：

姚佳欣殷华湘

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

钱湾湾

优先权：

CN201910271828.3

主分类号：

H01L29/775

IPC分类号：

H01L29/775 H01L21/335 B82Y10/00