一种三维折线纳米线阵列垂直场效应晶体管的制备方法
授权
摘要
本发明公开一种三维折线纳米线阵列垂直场效应晶体管的制备方法，包括：1）利用刻蚀技术在图形化衬底上刻蚀出三维台阶形状；2）在刻蚀有三维台阶的衬底上沉积质介质薄膜层后再次刻蚀使三维台阶附近异质侧壁暴露，然后利用选择性刻蚀在异质侧壁构造引导沟道；3）在异质侧壁构造的引导沟道内制备纳米级催化金属颗粒；4）在整个结构表面淀积覆盖与所需生长纳米线对应非晶半导体前驱体薄膜层；5）升高温度使纳米级催化金属颗粒引导沟道中由固态转变为液态，前端开始吸收非晶层，后端析出折线形晶态纳米线；6）以折线形晶态纳米线垂直部分为沟道区域，水平部分为源漏电极区域，制备短沟道场效应晶体管。
基本信息
专利标题 ：
一种三维折线纳米线阵列垂直场效应晶体管的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112599418A
申请号 ：
CN202011470043.8
公开（公告）日 ：
2021-04-02
申请日 ：
2020-12-14
授权号 ：
CN112599418B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
余林蔚胡瑞金王军转
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
代理机构 ：
南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李培
优先权 ：
CN202011470043.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/28 H01L29/06 H01L29/10 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-04-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20201214
申请日 : 20201214
2021-04-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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