屏蔽栅晶体管及屏蔽栅晶体管的形成方法
实质审查的生效
摘要

一种屏蔽栅晶体管及其形成方法,结构包括:衬底,包括原胞区和终端区;位于原胞区内的若干第一凹槽;位于第一凹槽内的屏蔽栅极结构,衬底表面暴露出部分所述屏蔽栅极结构顶部表面;位于第一凹槽内的第一栅极结构;位于第一栅极结构两侧的原胞区内的源掺杂区;位于终端区内的第二凹槽和第三凹槽,所述第二凹槽和第三凹槽环绕所述原胞区,所述第二凹槽位于原胞区和第三凹槽之间;位于第二凹槽内的第二栅极结构,位于第三凹槽内的第三栅极结构;位于衬底上的源极金属层,所述源极金属层与源掺杂区、屏蔽栅极结构和第二栅极结构电连接,所述源极金属层与第三栅极结构电隔离。所述屏蔽栅晶体管的耐压能力和可靠性得到提高。

基本信息
专利标题 :
屏蔽栅晶体管及屏蔽栅晶体管的形成方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114361261A
申请号 :
CN202111554766.0
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-12-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王钦唐峰辉李海松
申请人 :
无锡芯朋微电子股份有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区长江路16号芯朋大厦
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
朱得菊
优先权 :
CN202111554766.0
主分类号 :
H01L29/786
IPC分类号 :
H01L29/786  H01L29/423  H01L23/48  H01L21/336  
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20211217
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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