具有双层间隙壁的晶体管及其形成方法
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摘要
本发明公开一种具有双层间隙壁的晶体管及其形成方法。该具有双层间隙壁的晶体管，包含有一栅极、一第一双层间隙壁以及一第二内层间隙壁。栅极设置于一基底上，其中栅极包含一栅极介电层以及一栅极电极，以及栅极介电层自栅极电极突出并覆盖基底。第一双层间隙壁设置于栅极侧边的栅极介电层上，其中第一双层间隙壁包含一第一内层间隙壁以及一第一外层间隙壁。第二内层间隙壁设置于第一双层间隙壁侧边的栅极介电层上，其中第二内层间隙壁具有一L型剖面结构。
基本信息
专利标题 ：
具有双层间隙壁的晶体管及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109801965A
申请号 ：
CN201711146633.3
公开（公告）日 ：
2019-05-24
申请日 ：
2017-11-17
授权号 ：
CN109801965B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
王家麟江品宏熊昌铂吕佳纹李年中李文芳王智充
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201711146633.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336 H01L21/8234
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-09-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20171117
申请日 : 20171117
2019-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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