间隙的形成方法
授权
摘要
一种间隙的形成方法，包括：步骤1，提供基底，所述基底上具有若干凸起的导电结构，相邻导电结构之间具有沟槽；步骤2，形成覆盖所述导电结构并填充所述沟槽的填充层；步骤3，刻蚀所述填充层，在所述沟槽中的填充层中形成开口；步骤4，在所述填充层上形成封闭所述开口的封闭层，在所述沟槽中的填充层中形成间隙。通过前述步骤的结合，在沟槽中的填充层中形成间隙时，能够较精确的控制形成的间隙位置和尺寸，从而能准确的减小特定位置的寄生电容，提高DRAM器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
间隙的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112992774A
申请号 ：
CN201911213044.1
公开（公告）日 ：
2021-06-18
申请日 ：
2019-12-02
授权号 ：
CN112992774B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
郑孟晟洪海涵
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201911213044.1
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-07-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20191202
申请日 : 20191202
2021-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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