垂直磁头制造期间控制尾屏蔽件间隙的方法及形成的磁头

专利权的终止

摘要

本发明公开一种用于在垂直磁头制造期间控制尾屏蔽件间隙的形成的方法以及由此形成的磁头。该原位尾屏蔽件沉积工艺取消会损坏该写磁极材料的预溅射工艺。此外，种子预备层形成在该尾屏蔽件间隙上从而消减尾屏蔽件间隙的任何不均匀性且控制由源自该尾屏蔽件种子沉积的预溅射工艺所引起的问题。

基本信息

专利标题：

垂直磁头制造期间控制尾屏蔽件间隙的方法及形成的磁头

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1822098A

申请号：

CN200610005722.1

公开（公告）日：

2006-08-23

申请日：

2006-01-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈重元刘音诗

申请人：

日立环球储存科技荷兰有限公司

申请人地址：

荷兰阿姆斯特丹

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒

优先权：

CN200610005722.1

主分类号：

G11B5/235

IPC分类号：

G11B5/235

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11B

基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储

G11B5/00

借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体

G11B5/127

磁头的结构或制造，例如电感应的

G11B5/187

与记录介质直接接触或紧密靠近的磁头表面的结构或制造；磁极片；有间隙特征的

G11B5/23

有间隙特征的

G11B5/235

间隙填料的选择

法律状态

2011-03-23 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止终止日期 : 20100208
号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101059489647
IPC(主分类) : G11B 5/235
专利号 : ZL2006100057221
申请日 : 20060106
授权公告日 : 20090624

2009-06-24 ：

授权

2006-10-18 ：

实质审查的生效

2006-08-23 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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