制造磁头的方法

专利权的终止

摘要

在形成窄的构图时，难以形成具有悬垂形状的剥离抗蚀构图。因此，导致GMR层的末端处的角度被减少到45°或以下的现象。有必要提供将GMR膜的末端形成为45°或以上的陡峭角度并确保剥离的剥离抗蚀构图。当有必要形成超过成像层的分辨率的限制的窄的构图时，提供一种用于制造薄膜磁头的方法：在应用具有窄的构图的剥离抗蚀构图的同时，通过剥离方法制备GMR装置。制造薄膜磁头的方法如下：使用包括从下层的PMGI层、有机膜层和成像层的三层有机膜的抗蚀构图作为剥离抗蚀构图，通过使用成像层作为掩模来蚀刻有机膜层和PMGI层，然后通过使用剥离抗蚀构图作为掩模来蚀刻GMR层，其中，在所述剥离抗蚀构图中，有机膜层和成像层被形成为通过在显影液中蚀刻PMGI层制备的悬垂形状，然后通过使用剥离方法在GMR层的两个末端上形成磁畴控制膜和电极膜。

基本信息

专利标题：

制造磁头的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1805014A

申请号：

CN200510120337.7

公开（公告）日：

2006-07-19

申请日：

2005-11-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

森尻诚田中温子田边淳一

申请人：

日立环球储存科技荷兰有限公司

申请人地址：

荷兰阿姆斯特丹

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

杨林森

优先权：

CN200510120337.7

主分类号：

G11B5/39

IPC分类号：

G11B5/39 G03F7/20 H01L21/30