晶体管栅极结构及其形成方法
公开
摘要
本申请涉及晶体管栅极结构及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：沟道区域；栅极电介质层，位于沟道区域上；第一功函数调谐层，位于栅极电介质层上，第一功函数调谐层包含p型功函数金属；阻挡层，位于第一功函数调谐层上；第二功函数调谐层，位于阻挡层上，第二功函数调谐层包含n型功函数金属，n型功函数金属与p型功函数金属不同；以及填充层，位于第二功函数调谐层上。
基本信息
专利标题 ：
晶体管栅极结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597209A
申请号 ：
CN202110569082.1
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-05-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李欣怡洪正隆徐志安
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
桑敏
优先权 ：
CN202110569082.1
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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