形成用于纳米线FET器件的栅极间隔件的方法

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摘要

一种形成环形栅半导体器件的方法，包括：提供在其上具有层状鳍片结构的衬底，该层状鳍片结构包括沟道部和牺牲部，沟道部和牺牲部各自沿层状鳍片结构的长度延伸，其中层状鳍片结构覆盖有替换栅极材料。在层状鳍片结构上方的替换栅极材料上形成有伪栅极，其中该伪栅极具有沿层状鳍片结构的长度延伸的临界尺寸。该方法还包括在伪栅极正下方形成栅极结构，该栅极结构包括金属栅极区和设置在金属栅极区的相反侧上的栅极间隔件，其中栅极结构的总临界尺寸等于伪栅极的临界尺寸。

基本信息

专利标题：

形成用于纳米线FET器件的栅极间隔件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109952653A

申请号：

CN201780070047.7

公开（公告）日：

2019-06-28

申请日：

2017-11-14

授权号：

CN109952653B

授权日：

2022-05-31

发明人：

杰弗里·史密斯安东·德维利耶

申请人：

东京毅力科创株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

蔡胜有

优先权：

CN201780070047.7

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/66 H01L29/06 H01L29/78