一种栅极结构及IGBT器件

授权

摘要

本实用新型公开了一种栅极结构，具有多晶硅条，多晶硅条中部为主栅区，主栅区至少一端连接有电阻区，电阻区的宽度小于主栅区的宽度；所述主栅区和电阻区组成的整体结构的两端上方的介质层中加工有接触孔，接触孔中填充有金属。本实用新型的栅极结构主栅区两端的电阻区的宽度比主栅区宽度小，电阻区的电阻很大，相当于在主栅区两端串联了一个电阻，而且本实用新型栅极结构的主栅区、电阻区、接触区和过渡区，可以通过一次光刻以及刻蚀工艺制作完成，无需增加额外的制造成本。相比现有技术，本实用新型无需在IGBT或者VDMOS器件外部串联一个专用的电阻，可以降低电器设备的成本，同时有利于设备的小型化。

基本信息

专利标题：

一种栅极结构及IGBT器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921519904.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-12

授权号：

CN210073862U

授权日：

2020-02-14

发明人：

李学会黄昌民

申请人：

无锡德力芯半导体科技有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区新华路8号（9号厂房）

代理机构：

江苏漫修律师事务所

代理人：

平梁良

优先权：

CN201921519904.X

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/739