一种可控栅极电容的功率器件结构
授权
摘要
本申请涉及半导体制造领域，特别是一种可控栅极电容的功率器件结构，包括衬底，所述衬底的底部设置有注入层，所述衬底的上部设置有第一层沟槽和第二层沟槽，所述第一层沟槽和第二层沟槽形成双层包围的沟槽结构，所述第一层沟槽为连接栅极的沟槽，第二层沟槽是连接发射极的沟槽，第一层沟槽围成矩形区域，所述第二层沟槽围成一个横向尺寸为a，纵向尺寸为b的矩形区域，第二沟槽围成的矩形区域位于第一沟槽围成的矩形区域之内。本申请通过双层沟槽的设计，得到可以调节电容比例的横向尺寸a和纵向尺寸b，在不增加导通压降的前提下降低开关损耗，提高功率器件开关频率。
基本信息
专利标题 ：
一种可控栅极电容的功率器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122903864.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
CN216450650U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
马克强王思亮胡强蒋兴莉
申请人 ：
成都森未科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号
代理机构 ：
成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
苏丹
优先权 ：
CN202122903864.2
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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