可抑制非线性电容的功率半导体器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种能够抑制非线性电容的功率半导体结构。包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底和生长在第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层的上表面为所述半导体基板的第一主面，所述第一导电类型衬底的下表面为所述半导体基板的第二主面；所述第一导电类型外延层中开设有至少一个沟槽，所述沟槽内设有场氧层和被所述场氧层包裹的屏蔽栅，位于所述屏蔽栅上部两侧的沟槽中还分别设有栅极；所述栅极连接栅极电位，所述沟槽中的屏蔽栅连接栅极电位或源极电位；所述可抑制非线性电容的功率半导体器件可以明显增加漏源电压较高时的米勒电容。
基本信息
专利标题 ：
可抑制非线性电容的功率半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921156710.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-22
授权号 ：
CN210073858U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
朱袁正周锦程
申请人 ：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201921156710.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/41 H01L29/78
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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