一种低栅极电荷的超级结功率器件

授权

摘要

本实用新型提出一种低栅极电荷的超级结功率器件，包括N‑型外延层和N+型漏区，所述N‑型外延层位于N+型漏区上方，N+型漏区的底面设有背面电极；N‑型外延层内设有P型柱状掺杂区，P型柱状掺杂区的顶部设有P‑型体区，P‑型体区内设有N+型源区，N+型源区之间设有第二P+型区；N‑型外延层的上表面覆盖有栅极氧化层，栅极氧化层上方覆盖有栅极多晶硅，栅极多晶硅之间由氧化层隔离，氧化层上方覆盖有源极金属。本实用新型与现有传统超级结器件相比栅极电荷降低了30‑50％，大大优化了开关速度和开关能耗，具有更优化的器件性能。

基本信息

专利标题：

一种低栅极电荷的超级结功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922184735.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-09

授权号：

CN210607253U

授权日：

2020-05-22

发明人：

丁磊

申请人：

张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市张家港市凤凰镇港口工业园华泰路1号凯思半导体

代理机构：

南京天华专利代理有限责任公司

代理人：

夏平

优先权：

CN201922184735.5

主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L27/092 H01L29/786 H01L29/06 H01L21/336