气隙栅极侧壁间隔件及方法

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摘要

本发明涉及气隙栅极侧壁间隔件及方法，所揭示为集成电路(IC)结构和其形成方法。在该方法中，在沟道区域上形成具有牺牲性栅极盖和牺牲性栅极侧壁间隔件的栅极。该盖和侧壁间隔件被移除，形成空穴，其具有位于该栅极的侧壁和相邻金属栓塞之间的下部部分以及具有在该下部部分和该栅极上方的上部部分。沉积第一介电质层，在该下部部分中形成气隙并对齐该上部部分。沉积第二介电质层，填补该上部部分。在形成栅极接点开口(视需要在主动区上)期间，该第二介电质层被移除而该第一介电质层被非等向性蚀刻，从而曝露该栅极并产生具有下气隙段和上实心段的介电质间隔件。沉积进入开口内的金属形成该栅极接点。

基本信息

专利标题：

气隙栅极侧壁间隔件及方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108336015A

申请号：

CN201711059486.6

公开（公告）日：

2018-07-27

申请日：

2017-11-01

授权号：

CN108336015B

授权日：

2022-05-17

发明人：

丹尼尔·恰尼莫盖姆恩德·拉伯特谢瑞龙拉尔斯·赖柏曼尼格尔·凯夫古拉密·波奇

申请人：

格芯公司

申请人地址：

英属开曼群岛大开曼岛

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司

代理人：

程伟

优先权：

CN201711059486.6

主分类号：

H01L21/764

IPC分类号：

H01L21/764 H01L21/8234 H01L27/088 H01L29/06