气隙隔离结构
公开
摘要
本公开涉及半导体结构，更具体地涉及气隙隔离结构及制造方法。该结构包括：体衬底材料；第一气隙隔离结构，其位于体衬底材料中并具有第一纵横比；以及第二气隙隔离结构，其位于体衬底材料中并具有不同于第一纵横比的第二纵横比。
基本信息
专利标题 ：
气隙隔离结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582795A
申请号 ：
CN202111448157.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
B·T·库奇S·P·埃杜苏米利J·A·康塔洛夫斯基C·E·考尔多什刘森
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111448157.7
主分类号 ：
H01L21/764
IPC分类号 ：
H01L21/764 H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/764
空气隙
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
