气隙型FBAR
实质审查的生效
摘要
公开了一种气隙型薄膜体声波谐振器(FBAR)，包括：衬底，在顶部表面包括气隙部分；下电极，在所述衬底上方，具有多边形板形状，并且被配置成围绕所述气隙部分的顶部；压电层，形成在所述下电极上方；以及上电极，形成在所述压电层上方。其中，所述下电极包括形成在所述多边形板的一侧板边界表面和所述气隙部分的一侧气隙边界表面之间的电极非沉积区域，以暴露所述气隙部分的顶部的一部分。
基本信息
专利标题 ：
气隙型FBAR
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114499449A
申请号 ：
CN202110297798.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-03-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金炳宪朴钟贤
申请人 ：
天津威盛电子有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市隆安律师事务所
代理人 ：
权鲜枝
优先权 ：
CN202110297798.0
主分类号 ：
H03H9/17
IPC分类号 ：
H03H9/17 H03H9/25
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 9/17
申请日 : 20210319
申请日 : 20210319
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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