多位纳米晶体存储器
专利权的视为放弃
摘要
一种具有纳米晶体栅极结构的改进型存储器单元(图20)可以在加工工艺中使用多个沟槽(52，57)来形成。该纳米晶体栅极结构(20)包括在基片(10)上的隧道氧化物层(21)、纳米晶体层(22)以及控制氧化物层(23)。形成第一沟槽(52)，并且在基片中接近第一沟槽底部的地方形成掺杂区域(54，55)。在形成至少一个掺杂区域之后，去除纳米晶体结构(20)的一部分。填充第一沟槽(31)，并且在非常接近于第一沟槽的位置上形成第二沟槽(57)。随后，去除纳米晶体栅极结构(20)在第二沟槽底部附近的第二部分。该加工工艺通过使用多个沟槽来减小纳米晶体栅极结构的尺寸，从而提高存储器单元的性能。
基本信息
专利标题 ：
多位纳米晶体存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101194355A
申请号 ：
CN200580041548.X
公开（公告）日 ：
2008-06-04
申请日 ：
2005-11-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
B·洛耶克
申请人 ：
爱特梅尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孟锐
优先权 ：
CN200580041548.X
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76 H01L21/82
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
2010-09-01 ：
专利权的视为放弃
号牌文件类型代码 : 1606
号牌文件序号 : 101005218421
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利申请号 : 200580041548X
放弃生效日 : 20080604
号牌文件序号 : 101005218421
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利申请号 : 200580041548X
放弃生效日 : 20080604
2008-07-30 ：
实质审查的生效
2008-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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