基于纳米带的晶体管及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种基于纳米带的晶体管，包括：衬底；设置于所述衬底上的栅电极；设置于所述栅电极上的栅介质层；设置于所述栅介质层上的有源层，所述有源层包括至少一条氮化硼纳米带，所述至少一条氮化硼纳米带均包括用于打开带隙的材料；以及设置于所述有源层上的源电极和漏电极。
基本信息
专利标题 ：
基于纳米带的晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109103264A
申请号 ：
CN201810953689.8
公开（公告）日 ：
2018-12-28
申请日 ：
2018-08-21
授权号 ：
CN109103264B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
卢年端李泠耿玓刘明
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
任岩
优先权 ：
CN201810953689.8
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/20 H01L29/207 H01L21/336 B82Y10/00 B82Y30/00
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法律状态
2022-05-10 ：
授权
2019-01-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20180821
申请日 : 20180821
2018-12-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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