非易失性存储方法及装置
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摘要
本公开提出了一种非易失性存储方法及装置；其中，该非易失性存储方法，包括：将易失性电阻转变器件作为非易失性存储的存储单元；以及控制并读取所述易失性电阻转变器件导电通路的断裂程度，由此实现非易失性存储。本公开采用易失性电阻转变器件作为存储单元可提高阻变存储阵列的存储密度，减少加工步骤，降低制作成本。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108922961A
申请号 ：
CN201810727728.2
公开（公告）日 ：
2018-11-30
申请日 ：
2018-07-04
授权号 ：
CN108922961B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
刘琦赵晓龙吴祖恒刘宇张凯平路程张培文赵盛杰姚志宏余兆安吕杭炳刘明
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
任岩
优先权 ：
CN201810727728.2
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2018-12-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20180704
申请日 : 20180704
2018-11-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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