非易失性存储设备及其操作方法
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摘要
一种具有存储单元阵列和页缓冲器电路的非易失性存储设备，所述存储单元阵列包括耦合至第一字线至第M字线和第一位线至第N位线的多个存储单元(M>2，N>2)，所述页缓冲器电路包括分别耦合至第一位线至第N位线、并分别生成第一输出数据至第N输出数据的第一页缓冲器至第N页缓冲器。第K页缓冲器包括第一锁存器至第L锁存器，所述第一锁存器至第L锁存器在读电压被施加到第P字线之后，通过在不同的采样定时处对通过第K位线进行放电的第K输出线的电压进行采样，来生成读数据(K≤N，L>1，P≤M)。如果第一锁存器的读数据中的误差可校正，则第K页缓冲器输出第一输出数据。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储设备及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106653073A
申请号 ：
CN201610645104.7
公开（公告）日 ：
2017-05-10
申请日 ：
2016-08-09
授权号 ：
CN106653073B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
李知尚朴商秀沈烔教
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
钱大勇
优先权 ：
CN201610645104.7
主分类号 ：
G11C7/10
IPC分类号 ：
G11C7/10 G11C7/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2018-11-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 7/10
申请日 : 20160809
申请日 : 20160809
2017-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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