晶体管沟道材料
公开
摘要
本文公开的是晶体管沟道材料以及相关方法和设备。例如，在一些实施例中，晶体管可以包括沟道材料，该沟道材料包括具有第一导电类型的半导体材料，并且沟道材料还可以包括掺杂剂，该掺杂剂包括：(1)绝缘材料；和/或(2)具有与第一导电类型相反的第二导电类型的材料。
基本信息
专利标题 ：
晶体管沟道材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628501A
申请号 ：
CN202111331418.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·A·夏尔马N·萨托V·H·勒S·阿塔纳索夫A·S·古普塔M·V·梅斯H·J·允
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
舒雄文
优先权 ：
CN202111331418.7
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/12 H01L29/78 H01L29/786
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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