平面结构沟道金氧半场效晶体管

授权

摘要

本实用新型公开了一种平面结构沟道金氧半场效晶体管。平面结构沟道金氧半场效晶体管包括基体，基体自下而上分别包括第一基板和第二基板，第一基板为P型晶圆基板，第二基板经过深N‑阱工艺处理。第二基板的上表面形成有多个相互间隔的沟道，沟道中形成有栅极，沟道的相邻两侧分别形成有源极和漏极，栅极、源极和漏极位于基体的同侧。本实用新型中沟道型栅极和同侧设置的栅极、源极和漏极结构可以提高导通性能，减小单元间距，从而降低集成电源芯片的单位导通电阻，提高导通性能，并将同性能条件下的晶体管面积减小一半左右，同时便于在同一基体上集成多个晶体管结构。

基本信息

专利标题：

平面结构沟道金氧半场效晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920963740.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-25

授权号：

CN210224042U

授权日：

2020-03-31

发明人：

潘继徐鹏

申请人：

无锡沃达科半导体技术有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园E2-401

代理机构：

无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

王闯

优先权：

CN201920963740.3

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336 H01L29/10 H01L29/06