平面结构沟道金氧半场效晶体管
授权
摘要
本实用新型公开了一种平面结构沟道金氧半场效晶体管。平面结构沟道金氧半场效晶体管包括基体,基体自下而上分别包括第一基板和第二基板,第一基板为P型晶圆基板,第二基板经过深N‑阱工艺处理。第二基板的上表面形成有多个相互间隔的沟道,沟道中形成有栅极,沟道的相邻两侧分别形成有源极和漏极,栅极、源极和漏极位于基体的同侧。本实用新型中沟道型栅极和同侧设置的栅极、源极和漏极结构可以提高导通性能,减小单元间距,从而降低集成电源芯片的单位导通电阻,提高导通性能,并将同性能条件下的晶体管面积减小一半左右,同时便于在同一基体上集成多个晶体管结构。
基本信息
专利标题 :
平面结构沟道金氧半场效晶体管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920963740.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-25
授权号 :
CN210224042U
授权日 :
2020-03-31
发明人 :
潘继徐鹏
申请人 :
无锡沃达科半导体技术有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园E2-401
代理机构 :
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王闯
优先权 :
CN201920963740.3
主分类号 :
H01L29/78
IPC分类号 :
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/10 H01L29/06
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法律状态
2020-03-31 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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