一种高重复频率高压脉冲源金氧半场效晶体管
授权
摘要
本实用新型公开了一种高重复频率高压脉冲源金氧半场效晶体管，包括晶体管集成板壳，以及两排均匀设置在晶体管集成板壳两侧板上的接通引脚，晶体管集成板壳的内部设有晶体管工作结构，接通引脚包括固定安插段和活动弯折段，固定安插段和活动弯折段的连接处设有拐折节点；拐折节点包括设置在固定安插段端部的半环定圈，活动弯折段的端部设有穿过半环定圈的三角杆状框板，三角杆状框板的两个边交点处与活动弯折段固定连接，三角杆状框板的另一个边的横截面直径与半环定圈的孔径相同；本方案的可根据不同的使用场合改变引脚的形状，并且保证金氧半场效晶体管可频繁多次使用，减少引脚断裂造成的资源浪费。
基本信息
专利标题 ：
一种高重复频率高压脉冲源金氧半场效晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920693000.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-15
授权号 ：
CN209675273U
授权日 ：
2019-11-22
发明人 ：
高苗苗
申请人 ：
深圳市冠禹半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区蛇口街道南海大道1052号海翔广场4楼406-410室12-01号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920693000.2
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2019-11-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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