减少互补式金氧半场效晶体管影像感测器杂讯的结构
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摘要
一种减少互补式金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器杂讯的结构，此改良的互补式金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器至少包括被支持特征部分所围绕的光感测结构，此光感测结构的主动部分仅被透光材料所覆盖。光阻挡部分至少包括黑光过滤层与覆盖支持特征部份的不透光层，此光阻挡部分亦可覆盖此光感测结构的周围部分。形成互补式金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器的方法至少包括使用膜图案化与蚀刻制程，以选择性地在需要光阻挡部分而不在主动部分的上形成不透光层。本发明的方法与结构将提高CMOS影像感测器装置产品良率，以及对来自影像感测器装置的影像的精确度与品质的改善。
基本信息
专利标题 ：
减少互补式金氧半场效晶体管影像感测器杂讯的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832186A
申请号 ：
CN200610000556.6
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-01-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴天启林宗毅
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610000556.6
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2009-02-18 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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