半导体影像感测器和制造半导体影像感测器的方法
公开
摘要
一种半导体影像感测器和制造半导体影像感测器的方法，半导体影像感测器包括像素。像素包括第一基板；以及在第一基板中的光电二极管。半导体影像感测器还包括电性连接到像素的互连件结构。半导体影像感测器还包括在介于互连件和光电二极管之间的反射结构，其中反射结构配置为将穿过光电二极管的光反射回朝向光电二极管。
基本信息
专利标题 ：
半导体影像感测器和制造半导体影像感测器的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464634A
申请号 ：
CN202110320061.6
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-03-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卢俊良邱钲皓林焕恩周俊豪李国政
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110320061.6
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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