影像感测元件

专利权的终止

摘要

本实用新型揭露一种影像感测元件，其特征在于，该元件包括：基底；光感测区，位于该基底中；介电保护层，位于该光感测区上，以作为该光感测区的保护层；栅极绝缘层，位于该基底上，邻接该介电保护层；栅极，位于该栅极绝缘层上，其一侧跨至该介电保护层的一部分上；及掺杂区，位于该基底中。主要是在MOS的栅极形成前先形成一介电保护层于光感测区上，因此在接下来形成MOS构件过程中，可避免光感测区因等离子体或蚀刻所产生的表面伤害，改善暗电流产生的现象。所以，栅极有一部分是层叠在介电保护层的上方。同时由于光感测区表面平整，而具有良好的性能。

基本信息

专利标题：

影像感测元件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620114803.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-04-29

授权号：

CN2922129Y

授权日：

2007-07-11

发明人：

高境鸿

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200620114803.0

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146