影像感测元件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种影像感测元件及其制作方法，其中该影像感测元件包含一基底，一第一电路层，位于该基底上，以及至少一纳米线感光二极管位于该第一电路层上并且与该第一电路层电连接，其中该纳米线感光二极管包含有一下方材料层以及一上方材料层，该下方材料层与该上方材料层之间具有一P‑N结，其中该下方材料层包含有钙钛矿(perovskite)材质。
基本信息
专利标题 ：
影像感测元件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530465A
申请号 ：
CN202011318904.0
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2020-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
詹兆尧丁乾威蒋晓宏戴锦华
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011318904.0
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L27/30
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20201123
申请日 : 20201123
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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