一种构槽式功率金氧半场效晶体管新结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种构槽式功率金氧半场效晶体管新结构，至少包括一个N掺杂区或P掺杂区或P井区；所述N掺杂区和所述P掺杂区相间排列，即一个所述N掺杂区挨着一个所述P掺杂区再挨着一个N掺杂区，以此类推；所述N掺杂区或P掺杂区或P井区在硅衬底外延片里面，本实用新型提供一个新的结构，和其它结构相比，可达到节省工艺流程与成本的目的，另一方面本实用新型使得器件电流与路径阻值的乘积不易大于内建寄生的晶体管的Vbe电压让三极管导通，因而容易维持原本雪崩崩溃(UIS)的能力及降低snapback发生的机率，本实用新型所以能完成中高电压的产品，却又不失过保护的能力，大大提升产品的应用范围。
基本信息
专利标题 ：
一种构槽式功率金氧半场效晶体管新结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922440525.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN210897288U
授权日 ：
2020-06-30
发明人 ：
李振道
申请人 ：
南京融芯微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江北新区研创园腾飞大厦B座4层B401室、B402室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922440525.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/331
法律状态
2020-06-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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